RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
75
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
75
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
1590
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link