Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

Причины выбрать
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 35

Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.7 14.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.9 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 33
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 18.7
Скорость записи, Гб/сек

9.5 15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2321 3635

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

модули RAM