RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
35
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
19
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2991
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link