RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3140
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link