RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
1967
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link