Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 36

Около 3% меньшая задержка

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.9 14.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.8 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 36
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 14.9
Скорость записи, Гб/сек

9.5 9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2321 2415

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB

Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB

модули RAM