RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
35
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
18
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
20.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3722
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link