RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3546
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link