RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3017
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link