RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
5.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
8.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
5.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
1967
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link