RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3169
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link