Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против INTENSO M418039 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.5 7.4

Среднее значение в тестах

INTENSO M418039 8GB

Причины выбрать
INTENSO M418039 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 35

Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 14.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

INTENSO M418039 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 20
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 16.0
Скорость записи, Гб/сек

9.5 7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2321 2414

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 9965662-008.A01G 16GB

Kingston 9965662-008.A01G 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

модули RAM