Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 44

Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.4 14.2

Среднее значение в тестах

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

10.8 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 44
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 14.2
Скорость записи, Гб/сек

9.5 10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2321 2425

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Super Talent F3200UA8G 8GB

Super Talent F3200UA8G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB

Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

модули RAM