RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2663
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link