RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
45
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
10600
1900
Около 5.58% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
45
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
11.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
1900
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2387
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link