RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2781
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link