RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2782
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link