RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2316
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link