RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
42
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2737
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link