RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
36
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2381
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link