RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3963
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link