RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 63
    Около 44% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.5 left arrow 8.8
    Среднее значение в тестах
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Причины выбрать
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17 left arrow 14.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 63
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.4 left arrow 17.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.5 left arrow 8.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2321 left arrow 2061

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
модули RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
модули RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
модули RAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
модули RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
модули RAM