RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB против Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1770
3224
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link