RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3601
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link