RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
39
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3153
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link