RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.2
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2750
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link