RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
39
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2899
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link