RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
39
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.2
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3116
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VS1GB800D2 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link