RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
54
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
54
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2264
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link