RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
41
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.7
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
41
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
8.9
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2126
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link