RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Kingston XF875V-HYA 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston XF875V-HYA 8GB

Kingston XF875V-HYA 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Kingston XF875V-HYA 8GB Причины выбрать
Kingston XF875V-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    13.3 left arrow 11.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.4 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.7 left arrow 13.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.2 left arrow 11.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1749 left arrow 2274

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Kingston XF875V-HYA 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
модули RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
модули RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
модули RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
модули RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
модули RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
модули RAM