RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
9.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2286
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link