Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 58
    Около 33% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.7 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.5 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 58
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.7 left arrow 9.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.2 left arrow 7.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1749 left arrow 2172
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения