RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
39
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
19
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3314
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link