Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 39

Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.5 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.9 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 26
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 14.5
Скорость записи, Гб/сек

7.2 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1749 2544

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Super Talent F21UB8GS 8GB

Super Talent F21UB8GS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB

PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB

Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

модули RAM