RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
56
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3137
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link