Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17

Среднее значение в тестах

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Причины выбрать
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 56

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.2 1,813.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,387.7 17.0
Скорость записи, Гб/сек

1,813.5 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

693 2944

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905702-082.A00G 8GB

Kingston 9905702-082.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Kingston K821PJ-MIB 16GB

Kingston K821PJ-MIB 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

модули RAM