Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.4

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 56

Около -60% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.9 1,813.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 35
Скорость чтения, Гб/сек

4,387.7 15.4
Скорость записи, Гб/сек

1,813.5 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

693 2765

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

модули RAM