RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
56
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3140
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link