RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
56
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2826
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link