RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2462
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link