Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Kingston 9905624-036.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 12.3

Среднее значение в тестах

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 56

Около -37% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.9 1,813.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 41
Скорость чтения, Гб/сек

4,387.7 12.3
Скорость записи, Гб/сек

1,813.5 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

693 2021

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston 9905664-010.A00G 4GB

Kingston 9905664-010.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD R7S44G2606U1S 4GB

AMD R7S44G2606U1S 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

модули RAM