RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
56
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3692
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link