RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
56
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2825
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link