Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 52

Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 14900

Около 1.43 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 34
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 18.5
Скорость записи, Гб/сек

7.2 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 21300

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2173 3604

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9965600-005.A01G 16GB

Kingston 9965600-005.A01G 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

модули RAM