RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
52
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.6
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
16
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
22.1
Скорость записи, Гб/сек
7.2
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2173
3906
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link