RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
52
Около -49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
10.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2173
2327
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link