Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 52
    Около -58% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.9 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 14900
    Около 1.72 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    52 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.7 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.2 left arrow 10.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    14900 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Тайминги / частота
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2173 left arrow 2876
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения