RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сравнить
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
52
Около -126% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2173
2825
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link