Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Средняя оценка

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

52 90

Около 42% меньшая задержка

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Причины выбрать
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.6 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.7 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 14900

Около 1.29 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 90
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 15.6
Скорость записи, Гб/сек

7.2 8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 19200

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2173 1743

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Kingston KHX2666C13/8GX 8GB

Kingston KHX2666C13/8GX 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB

Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB

Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB

модули RAM